창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR20035CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR20020CT thru MBR20040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR20035CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR20035CT | |
관련 링크 | MBR200, MBR20035CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SP1210R-681K | 680nH Shielded Wirewound Inductor 1.32A 119 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | SP1210R-681K.pdf | |
![]() | SC1206-R12 | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 112 mOhm Max Nonstandard | SC1206-R12.pdf | |
![]() | RT0603WRB0730RL | RES SMD 30 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB0730RL.pdf | |
![]() | 7285CQ6/MFHTR | 7285CQ6/MFHTR ST QFP | 7285CQ6/MFHTR.pdf | |
![]() | M6375-837 | M6375-837 OKI SOP24 | M6375-837.pdf | |
![]() | 1951A(M51951ASL) | 1951A(M51951ASL) MITSUBISHI IC | 1951A(M51951ASL).pdf | |
![]() | FMG3 | FMG3 ROHM SMD or Through Hole | FMG3.pdf | |
![]() | AC3162E | AC3162E INTEL DIP | AC3162E.pdf | |
![]() | CFR50160R | CFR50160R NEOHM SMD or Through Hole | CFR50160R.pdf | |
![]() | EST1606H32L | EST1606H32L SCM SMD or Through Hole | EST1606H32L.pdf | |
![]() | HN624116FBC53 | HN624116FBC53 Technics SOP44 | HN624116FBC53.pdf | |
![]() | PC357N4J0000F.D | PC357N4J0000F.D SHARP SOP-4 | PC357N4J0000F.D.pdf |