창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR20030CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR20020CT thru MBR20040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1242-1023 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR20030CTR | |
관련 링크 | MBR200, MBR20030CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | P6SMB62A-M3/5B | TVS DIODE 53VWM 85VC DO-214AA | P6SMB62A-M3/5B.pdf | |
![]() | CZRF52C11 | DIODE ZENER 11V 200MW 1005 | CZRF52C11.pdf | |
![]() | STL73D | TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 | STL73D.pdf | |
![]() | ACH32C-102-TL001 | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 1000pF 6A 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad | ACH32C-102-TL001.pdf | |
![]() | 11448318 | 11448318 PHI DIP14 | 11448318.pdf | |
![]() | NFM61R00T361T1M00 | NFM61R00T361T1M00 MURATA SMD or Through Hole | NFM61R00T361T1M00.pdf | |
![]() | AD8538ARZG4-REEL7 | AD8538ARZG4-REEL7 AD Original | AD8538ARZG4-REEL7.pdf | |
![]() | MB3614PFGBNDTF | MB3614PFGBNDTF FUJITSU SMD or Through Hole | MB3614PFGBNDTF.pdf | |
![]() | DF12(5.0)-60DP-0.5 | DF12(5.0)-60DP-0.5 HRS SMD or Through Hole | DF12(5.0)-60DP-0.5.pdf | |
![]() | AD7532JN | AD7532JN AD DIP-16 | AD7532JN.pdf | |
![]() | IRFY340C | IRFY340C ORIGINAL SMD or Through Hole | IRFY340C.pdf | |
![]() | BSW18 | BSW18 ORIGINAL CAN | BSW18.pdf |