창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20020CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20020CT thru MBR20040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20020CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20020CTR | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20020CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SR1307681KSB | SR1307681KSB ABC SMD | SR1307681KSB.pdf | |
![]() | QS3244YSO | QS3244YSO IDT Call | QS3244YSO.pdf | |
![]() | MM14516BCN | MM14516BCN NS DIP16 | MM14516BCN.pdf | |
![]() | ADSP-TS201SABP-X | ADSP-TS201SABP-X AD BGA | ADSP-TS201SABP-X.pdf | |
![]() | PSB50702E-V1.3 | PSB50702E-V1.3 INFINEON BGA | PSB50702E-V1.3.pdf | |
![]() | M3-I25002 | M3-I25002 SUNON SMD or Through Hole | M3-I25002.pdf | |
![]() | BCR138T | BCR138T INF SOT523 | BCR138T.pdf | |
![]() | IMSG176J-40Z | IMSG176J-40Z INMOS PLCC44 | IMSG176J-40Z.pdf | |
![]() | IRF636A | IRF636A IR TO-220 | IRF636A.pdf | |
![]() | TN4-21747 | TN4-21747 ORIGINAL SMD or Through Hole | TN4-21747.pdf | |
![]() | PX0740/S | PX0740/S BULGIN SMD or Through Hole | PX0740/S.pdf | |
![]() | MB622406PF-G-BND | MB622406PF-G-BND FUJ QFP 48 | MB622406PF-G-BND.pdf |