창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR200200CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR200150CT thru MBR200200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR200200CT | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR200200CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | IMC0603ER22NG01 | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 220 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | IMC0603ER22NG01.pdf | |
![]() | MBB02070C1101DC100 | RES 1.1K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1101DC100.pdf | |
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![]() | UZXSC300E5TA | UZXSC300E5TA ZETEX SMD or Through Hole | UZXSC300E5TA.pdf | |
![]() | GSA-S10N | GSA-S10N HITACHI SMD or Through Hole | GSA-S10N.pdf | |
![]() | UPL1C221MPH1TD | UPL1C221MPH1TD NICHICON SMD or Through Hole | UPL1C221MPH1TD.pdf | |
![]() | FFA30U20DN. | FFA30U20DN. ON TO-247 | FFA30U20DN..pdf | |
![]() | M29F800AT-100N1 | M29F800AT-100N1 ST TSOP | M29F800AT-100N1.pdf | |
![]() | R451015(15A/125V) | R451015(15A/125V) ORIGINAL SMT | R451015(15A/125V).pdf | |
![]() | KPC317(GRL,T) | KPC317(GRL,T) KEC SMD or Through Hole | KPC317(GRL,T).pdf |