창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR180S1-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR180S1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 80V | |
정전 용량 @ Vr, F | 20pF @ 5V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MBR180S1-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR180S1-7 | |
관련 링크 | MBR180, MBR180S1-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT5001AI-GE-33E0-33.330000T | OSC XO 3.3V 33.33MHZ OE | SIT5001AI-GE-33E0-33.330000T.pdf | |
![]() | MP6-2I-1I-1K-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2I-1I-1K-00.pdf | |
![]() | HS50 1R8 J | RES CHAS MNT 1.8 OHM 5% 50W | HS50 1R8 J.pdf | |
![]() | MCR10EZHF1072 | RES SMD 10.7K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1072.pdf | |
![]() | TMP87C809AM-3CH7 | TMP87C809AM-3CH7 TOS SOP | TMP87C809AM-3CH7.pdf | |
![]() | 433.200NR | 433.200NR LITTELFUSE SMD or Through Hole | 433.200NR.pdf | |
![]() | GRM219R71C474MA01D | GRM219R71C474MA01D murata SMD or Through Hole | GRM219R71C474MA01D.pdf | |
![]() | BCR135 Q62702-C2257 | BCR135 Q62702-C2257 INFINEON SMD or Through Hole | BCR135 Q62702-C2257.pdf | |
![]() | EP1AGX35CF484I6N | EP1AGX35CF484I6N ALTERA BGA | EP1AGX35CF484I6N.pdf | |
![]() | M30-1101200 | M30-1101200 HARWIN SMD or Through Hole | M30-1101200.pdf | |
![]() | NU3200MC-SLALG | NU3200MC-SLALG Intel BGA | NU3200MC-SLALG.pdf | |
![]() | 1812 1.5K J | 1812 1.5K J TASUND SMD or Through Hole | 1812 1.5K J.pdf |