창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR1660HE3/45 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR(F,B)1635-1660 Packaging Information | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 16A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 16A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 60V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR1660HE3/45 | |
| 관련 링크 | MBR1660, MBR1660HE3/45 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0402Q4N7ST000 | 4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 160mA 1.3 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q4N7ST000.pdf | |
![]() | NRS4012T150MDGJV | 15µH Shielded Wirewound Inductor 750mA 312 mOhm Max Nonstandard | NRS4012T150MDGJV.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 3DB N2 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 3DB N2.pdf | |
![]() | FMS2031-001-TB | FMS2031-001-TB FILTRONIC SMD or Through Hole | FMS2031-001-TB.pdf | |
![]() | 567D | 567D JRC DIP-8 | 567D.pdf | |
![]() | 2SK1334BYTL SOT89-BY P | 2SK1334BYTL SOT89-BY P RENESAS SMD or Through Hole | 2SK1334BYTL SOT89-BY P.pdf | |
![]() | E1S43-OWOC6-03 | E1S43-OWOC6-03 TOYODA ROHS | E1S43-OWOC6-03.pdf | |
![]() | LH7A400N0E | LH7A400N0E SHARP AYBGA | LH7A400N0E.pdf | |
![]() | 24LC08B/PASP | 24LC08B/PASP MIC DIP-8 | 24LC08B/PASP.pdf | |
![]() | AEGE | AEGE ORIGINAL 5SOT-23 | AEGE.pdf | |
![]() | K4F160412D-FC50 | K4F160412D-FC50 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4F160412D-FC50.pdf |