창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR140ESFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR140ESF, NRVB140ESF | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 560mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 40V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123FL | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR140ESFT3G | |
관련 링크 | MBR140E, MBR140ESFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F370X2IKR | 37MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X2IKR.pdf | |
![]() | S5MS-E3/57T | DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB | S5MS-E3/57T.pdf | |
![]() | NRS5012T150MMGFV | 15µH Shielded Wirewound Inductor 640mA 804 mOhm Max Nonstandard | NRS5012T150MMGFV.pdf | |
![]() | IRF3505 | IRF3505 IR/A TO-220 | IRF3505.pdf | |
![]() | LTL-1AHAE | LTL-1AHAE LITE-ON DIP | LTL-1AHAE.pdf | |
![]() | SER2915H-223KL | SER2915H-223KL coilcraft SMD or Through Hole | SER2915H-223KL.pdf | |
![]() | GM2121-AD | GM2121-AD GENESIS QFP | GM2121-AD.pdf | |
![]() | TL431ACDR2 SOP8 | TL431ACDR2 SOP8 ON SOP8 | TL431ACDR2 SOP8.pdf | |
![]() | IBM93 R40001DP | IBM93 R40001DP IBM SMD or Through Hole | IBM93 R40001DP.pdf | |
![]() | UPD703040YF1-M20-E | UPD703040YF1-M20-E NEC QFP | UPD703040YF1-M20-E.pdf | |
![]() | 8G2016 | 8G2016 FUJISOKU SMD or Through Hole | 8G2016.pdf |