창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR120ESFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR120ESFTxG, NRVB120ESFTxG | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 530mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123FL | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MBR120ESFT3G-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR120ESFT3G | |
| 관련 링크 | MBR120E, MBR120ESFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA5L3X8R1E225M160AE | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L3X8R1E225M160AE.pdf | |
![]() | 416F50023IKT | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50023IKT.pdf | |
![]() | CRCW0603160KJNTB | RES SMD 160K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603160KJNTB.pdf | |
![]() | RSF12GB6K20 | RES MO 1/2W 6.2K OHM 2% AXIAL | RSF12GB6K20.pdf | |
![]() | MS1002-1 | MS1002-1 LSI DIP | MS1002-1.pdf | |
![]() | NKE1205S | NKE1205S C&D SIP4 | NKE1205S.pdf | |
![]() | D2430N | D2430N NEC SMD | D2430N.pdf | |
![]() | TEA2025.. | TEA2025.. ST SMD or Through Hole | TEA2025...pdf | |
![]() | 700201201 | 700201201 ITT SMD or Through Hole | 700201201.pdf | |
![]() | 69101751 | 69101751 DELPHI con | 69101751.pdf | |
![]() | MUX4F | MUX4F MARCONI BGA | MUX4F.pdf |