창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12080CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR12080CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12080CTR | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR12080CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RLB0712-101KL | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 400 mOhm Max Radial | RLB0712-101KL.pdf | |
![]() | LM117HVH/883C | LM117HVH/883C NATIONAL SMD or Through Hole | LM117HVH/883C.pdf | |
![]() | S-1112B30PI-L6PTFG | S-1112B30PI-L6PTFG SEIKO SOT23 PB | S-1112B30PI-L6PTFG.pdf | |
![]() | HY5DW283222AF-28 | HY5DW283222AF-28 ORIGINAL BGA | HY5DW283222AF-28.pdf | |
![]() | MAX1996AETP+ | MAX1996AETP+ MAX QFN | MAX1996AETP+.pdf | |
![]() | PDIUSBD12PW----NXP | PDIUSBD12PW----NXP NXP SSOP28 | PDIUSBD12PW----NXP.pdf | |
![]() | 6HKN | 6HKN ST SOP-28 | 6HKN.pdf | |
![]() | DS36C200M/NSC | DS36C200M/NSC NS SMD or Through Hole | DS36C200M/NSC.pdf | |
![]() | HX5020 | HX5020 PLUSE SMD or Through Hole | HX5020.pdf | |
![]() | 54LS17F/883C | 54LS17F/883C S DIP-16 | 54LS17F/883C.pdf | |
![]() | MMBD7000LT3 | MMBD7000LT3 ONSEMICONDUCTOR ORIGINAL | MMBD7000LT3.pdf | |
![]() | EEEHA0J101P | EEEHA0J101P pan INSTOCKPACK1000 | EEEHA0J101P.pdf |