창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12060CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1084 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12060CT | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR12060CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ST3215SB32768B0HSZA1 | 32.768kHz ±20ppm 수정 6pF 70k옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ST3215SB32768B0HSZA1.pdf | |
![]() | 05D390 | 05D390 BK SMD or Through Hole | 05D390.pdf | |
![]() | CS61574-IPI | CS61574-IPI CRYSTAL DIP | CS61574-IPI.pdf | |
![]() | IS41C16256-50K | IS41C16256-50K ISSI SOJ40 | IS41C16256-50K.pdf | |
![]() | 6800/BQAJC-883 | 6800/BQAJC-883 MOT DIP | 6800/BQAJC-883.pdf | |
![]() | BA4237L · | BA4237L · ROHM SMD or Through Hole | BA4237L ·.pdf | |
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![]() | 36.8181m | 36.8181m kds SMD or Through Hole | 36.8181m.pdf | |
![]() | ERJ3GEYJ150V | ERJ3GEYJ150V PANASONIC SMD | ERJ3GEYJ150V.pdf | |
![]() | LT1107-25-AF5-3-R | LT1107-25-AF5-3-R UTC SOT-25 | LT1107-25-AF5-3-R.pdf | |
![]() | LT1084CP5 | LT1084CP5 ORIGINAL SMD or Through Hole | LT1084CP5.pdf | |
![]() | 0.1R-1% | 0.1R-1% ORIGINAL 1812 | 0.1R-1%.pdf |