창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12035CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12020CT thru MBR12040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 120A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR12035CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12035CTR | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR12035CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SSM3J15FV,L3F | MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM | SSM3J15FV,L3F.pdf | |
![]() | S5426F/883C | S5426F/883C S DIP14 | S5426F/883C.pdf | |
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![]() | CS18LV0064ACR70 | CS18LV0064ACR70 CS SMD or Through Hole | CS18LV0064ACR70.pdf | |
![]() | PD17238PJ | PD17238PJ ORIGINAL SMD or Through Hole | PD17238PJ.pdf | |
![]() | PF38F4050L0YTQ2 | PF38F4050L0YTQ2 INTEL SMD or Through Hole | PF38F4050L0YTQ2.pdf | |
![]() | RMC1/16SK182JTH | RMC1/16SK182JTH ORIGINAL SMD0402 | RMC1/16SK182JTH.pdf | |
![]() | 88E6155-LKJ1C | 88E6155-LKJ1C ORIGINAL SMD or Through Hole | 88E6155-LKJ1C.pdf | |
![]() | PLP-150+ | PLP-150+ ORIGINAL SMD or Through Hole | PLP-150+.pdf | |
![]() | PR-SP-350-B | PR-SP-350-B CTC SMD or Through Hole | PR-SP-350-B.pdf | |
![]() | MAX1490AEOG | MAX1490AEOG MAXIM DIP | MAX1490AEOG.pdf | |
![]() | M37771E6AFP | M37771E6AFP MIT QFP | M37771E6AFP.pdf |