창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR120150CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR120150CT thru MBR120200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 150V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR120150CTR | |
| 관련 링크 | MBR1201, MBR120150CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1825C472MGRACTU | 4700pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | C1825C472MGRACTU.pdf | |
![]() | CGL-50 | LIMITRON FAST ACTING FUSE | CGL-50.pdf | |
![]() | 42407500101 | FUSE BOARD MNT 750MA 125VAC/VDC | 42407500101.pdf | |
![]() | SS24T3 | DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB | SS24T3.pdf | |
![]() | ESD-R-12C | Solid Free Hanging Ferrite Core ID 0.287" Dia (7.30mm) OD 0.464" Dia (11.80mm) Length 0.591" (15.00mm) | ESD-R-12C.pdf | |
![]() | CMF502K3200FHEB | RES 2.32K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF502K3200FHEB.pdf | |
![]() | 12.000KHZ | 12.000KHZ EPSON 49S | 12.000KHZ.pdf | |
![]() | SM5822B(DO-214AA)(SMB)3A/40V | SM5822B(DO-214AA)(SMB)3A/40V GW SMD or Through Hole | SM5822B(DO-214AA)(SMB)3A/40V.pdf | |
![]() | MT46H64M32L2JG-6ES:A | MT46H64M32L2JG-6ES:A micron FBGA | MT46H64M32L2JG-6ES:A.pdf | |
![]() | ER0S2THF3300 | ER0S2THF3300 MATUSHITA SMD or Through Hole | ER0S2THF3300.pdf | |
![]() | SIW100DC | SIW100DC ORIGINAL MLFP | SIW100DC.pdf |