창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR120150CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR120150CT thru MBR120200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 150V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR120150CTR | |
| 관련 링크 | MBR1201, MBR120150CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B41042A4828M | 8200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41042A4828M.pdf | |
![]() | 06036D104KAT2A | 0.10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06036D104KAT2A.pdf | |
![]() | 416F26012IKR | 26MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26012IKR.pdf | |
![]() | SIT1602ACF8-30E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACF8-30E.pdf | |
![]() | CPCF056K800KE32 | RES 6.8K OHM 5W 10% RADIAL | CPCF056K800KE32.pdf | |
![]() | MSP3430GA4 | MSP3430GA4 MICRONAS ORIGINAL | MSP3430GA4.pdf | |
![]() | MBCG24143-4548 | MBCG24143-4548 FUJITSU QFP | MBCG24143-4548.pdf | |
![]() | TUF-R1MHSM | TUF-R1MHSM MINI SMD or Through Hole | TUF-R1MHSM.pdf | |
![]() | QCPL2537 | QCPL2537 AVAGO SMD or Through Hole | QCPL2537.pdf | |
![]() | CY8C21323-24PVXZ | CY8C21323-24PVXZ CY SSOP | CY8C21323-24PVXZ.pdf | |
![]() | FT5852 | FT5852 ORIGINAL SMD or Through Hole | FT5852.pdf | |
![]() | DBU6G | DBU6G CHINA SMD or Through Hole | DBU6G.pdf |