창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR120150CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR120150CT thru MBR120200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 150V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR120150CT | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR120150CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | W3L1ZC105MAT3A | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | W3L1ZC105MAT3A.pdf | |
| DRA125-471-R | 470µH Shielded Wirewound Inductor 826mA 790 mOhm Nonstandard | DRA125-471-R.pdf | ||
![]() | RCP0505W910RJEB | RES SMD 910 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W910RJEB.pdf | |
![]() | NT151 | NT151 NXGD SMD or Through Hole | NT151.pdf | |
![]() | TWL3027BZQWR | TWL3027BZQWR TI/PBF BGA | TWL3027BZQWR.pdf | |
![]() | K4N51163QE-ZCZA | K4N51163QE-ZCZA SAMSUNG BGA | K4N51163QE-ZCZA.pdf | |
![]() | FOL215W(T,B,V) | FOL215W(T,B,V) FAIRCHILD ORIGINAL | FOL215W(T,B,V).pdf | |
![]() | CM503 | CM503 CMD QFN | CM503.pdf | |
![]() | GW5BNF50K00 | GW5BNF50K00 SHARP SMD or Through Hole | GW5BNF50K00.pdf | |
![]() | B82462G2473M | B82462G2473M EPCOS SMD or Through Hole | B82462G2473M.pdf | |
![]() | IHSM-5832-10UH | IHSM-5832-10UH VishayIntertechno SMD or Through Hole | IHSM-5832-10UH.pdf | |
![]() | 2CZ82B | 2CZ82B CHINA SMD or Through Hole | 2CZ82B.pdf |