창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR120100CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR120100CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR120100CTR | |
| 관련 링크 | MBR1201, MBR120100CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2C0G2A120J080AA | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G2A120J080AA.pdf | |
![]() | AT0805BRD07365RL | RES SMD 365 OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD07365RL.pdf | |
![]() | MBA02040C1803FC100 | RES 180K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1803FC100.pdf | |
![]() | RSF2GB82R0 | RES MO 2W 82 OHM 2% AXIAL | RSF2GB82R0.pdf | |
![]() | TISP2290F3SL | TISP2290F3SL TI SIP-3 | TISP2290F3SL.pdf | |
![]() | 514400BJ-60 | 514400BJ-60 ORIGINAL SMD or Through Hole | 514400BJ-60.pdf | |
![]() | AIC1680N-25CV | AIC1680N-25CV AIC SOT25 | AIC1680N-25CV.pdf | |
![]() | 2SB1188F /R | 2SB1188F /R ROHM SOT-89 | 2SB1188F /R.pdf | |
![]() | 3-179400-0 | 3-179400-0 AMP/TYCO SMD | 3-179400-0.pdf | |
![]() | 520C802T400FF2D | 520C802T400FF2D CDE DIP | 520C802T400FF2D.pdf | |
![]() | E28F010120 | E28F010120 int SMD or Through Hole | E28F010120.pdf | |
![]() | IELZ34 | IELZ34 IR TO-220 | IELZ34.pdf |