창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR120100CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR120100CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR120100CT | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR120100CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | P51-500-S-AA-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-500-S-AA-MD-5V-000-000.pdf | |
![]() | PGS-1.5A | PGS-1.5A Conquer SMD or Through Hole | PGS-1.5A.pdf | |
![]() | 0402F473Z250CG | 0402F473Z250CG ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402F473Z250CG.pdf | |
![]() | 1/4W 91R | 1/4W 91R ORIGINAL DIP | 1/4W 91R.pdf | |
![]() | UF32AC | UF32AC ST POWERSO-36 | UF32AC.pdf | |
![]() | FBR20150C | FBR20150C FSC TO220 | FBR20150C.pdf | |
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![]() | LSC4363PI | LSC4363PI MOT DIP | LSC4363PI.pdf | |
![]() | 2037M | 2037M TIBB SOP-8 | 2037M.pdf | |
![]() | 630T80N02RG | 630T80N02RG ORIGINAL N A | 630T80N02RG.pdf | |
![]() | CY7C243-35WMB | CY7C243-35WMB CYPRESS DIP | CY7C243-35WMB.pdf |