창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR10100-E3/4W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR(F,B)1090 & 10100 Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
PCN 조립/원산지 | New subcontractor 06/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AC | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MBR10100-E3/4W-ND MBR10100-E3/4WGI MBR10100E34W | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR10100-E3/4W | |
관련 링크 | MBR10100, MBR10100-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TNPW0805118KBEEA | RES SMD 118K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805118KBEEA.pdf | |
![]() | MJ1000FE-R52 | RES 100 OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ1000FE-R52.pdf | |
![]() | 2SB736-T2B | 2SB736-T2B NEC SMD or Through Hole | 2SB736-T2B.pdf | |
![]() | NCP600SN180T1G | NCP600SN180T1G ONSEMI SOT23-5 | NCP600SN180T1G.pdf | |
![]() | HIR-5850A | HIR-5850A ZYGD TOP5-DIP2 | HIR-5850A.pdf | |
![]() | MC74LS393N | MC74LS393N MOT DIP-14 | MC74LS393N.pdf | |
![]() | 2SC3312-R | 2SC3312-R ORIGINAL TO-92S | 2SC3312-R.pdf | |
![]() | MB81F643242B-70FN | MB81F643242B-70FN FUJITSU SMD or Through Hole | MB81F643242B-70FN.pdf | |
![]() | LXT130NC | LXT130NC LEVELONE DIP | LXT130NC.pdf | |
![]() | PY1112CTR | PY1112CTR ORIGINAL SMD or Through Hole | PY1112CTR.pdf | |
![]() | MEA1D1212SC | MEA1D1212SC MURATA SIP7 | MEA1D1212SC.pdf | |
![]() | KT8590J | KT8590J SEC DIP | KT8590J.pdf |