창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-MB650632UPR-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | MB650632UPR-G | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | MB650632UPR-G | |
관련 링크 | MB65063, MB650632UPR-G 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 12065C823KAT2P | 0.082µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C823KAT2P.pdf | |
![]() | EMK042CG020CC-F | 2pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | EMK042CG020CC-F.pdf | |
![]() | DSC1101DL5-052.8000 | 52.8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101DL5-052.8000.pdf | |
![]() | ELL-6GG100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1A 170 mOhm Nonstandard | ELL-6GG100M.pdf | |
![]() | TD2380 | TD2380 TOSHIBA DIP | TD2380.pdf | |
![]() | SDH85N04P | SDH85N04P SW DO-5 | SDH85N04P.pdf | |
![]() | V86999 CCV95 | V86999 CCV95 INTERSIL SMD or Through Hole | V86999 CCV95.pdf | |
![]() | FUJ4ATP | FUJ4ATP ORIGIN FUSMA | FUJ4ATP.pdf | |
![]() | S-817A50ANB-CDN | S-817A50ANB-CDN SEK SOT343 | S-817A50ANB-CDN.pdf | |
![]() | CLP-309 | CLP-309 synergymwave SMD or Through Hole | CLP-309.pdf | |
![]() | PSC2.5VB820MC32-8X8 | PSC2.5VB820MC32-8X8 ORIGINAL DIP | PSC2.5VB820MC32-8X8.pdf | |
![]() | AD7564BRSZ (LF) | AD7564BRSZ (LF) ADI SMD or Through Hole | AD7564BRSZ (LF).pdf |