창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MAX859CSAT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MAX859CSAT | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MAX859CSAT | |
| 관련 링크 | MAX859, MAX859CSAT 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43540B2687M67 | 680µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 120 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540B2687M67.pdf | |
| SCX147-0R47 | Unshielded 2 Coil Inductor Array 1.76µH Inductance - Connected in Series 470nH Inductance - Connected in Parallel 4 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 7A Nonstandard | SCX147-0R47.pdf | ||
![]() | 5012O | 5012O IR TO-220-6 | 5012O.pdf | |
![]() | MAPD007249-ESML | MAPD007249-ESML MA/COM SMD or Through Hole | MAPD007249-ESML.pdf | |
![]() | LM83N | LM83N NS 8DIP | LM83N.pdf | |
![]() | 74S09N | 74S09N TI DIP | 74S09N.pdf | |
![]() | L6202-11/ | L6202-11/ ST DIP-18 | L6202-11/.pdf | |
![]() | CL10F103ZB8NNNB | CL10F103ZB8NNNB SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10F103ZB8NNNB.pdf | |
![]() | K43986 | K43986 NVIDIA BGA | K43986.pdf | |
![]() | RC0805 J 8K2Y | RC0805 J 8K2Y ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0805 J 8K2Y.pdf | |
![]() | IDT72031L25JI | IDT72031L25JI IDT PLCC | IDT72031L25JI.pdf | |
![]() | 54LS139A/BEBJC | 54LS139A/BEBJC TI SMD or Through Hole | 54LS139A/BEBJC.pdf |