창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-MAX811SEUST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | MAX811SEUST | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | MAX811SEUST | |
관련 링크 | MAX811, MAX811SEUST 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
RHS0G122MCN1GS | 1200µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RHS0G122MCN1GS.pdf | ||
CFR-12JB-52-180R | RES 180 OHM 1/6W 5% AXIAL | CFR-12JB-52-180R.pdf | ||
YFLLST01812 | YFLLST01812 ORIGINAL SMD or Through Hole | YFLLST01812.pdf | ||
8668Q-LF RevB | 8668Q-LF RevB TRIDENT BGA | 8668Q-LF RevB.pdf | ||
AD843 KN | AD843 KN AD DIP8 | AD843 KN.pdf | ||
LT1180ACSWPBF | LT1180ACSWPBF LINEARTECH Tube 40 | LT1180ACSWPBF.pdf | ||
RTL1/2C2-1003G | RTL1/2C2-1003G HOKURIKU SMD or Through Hole | RTL1/2C2-1003G.pdf | ||
M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM.pdf | ||
LM236BD-2.5 | LM236BD-2.5 NS SOP8 | LM236BD-2.5.pdf | ||
ISL22449UFV14Z-TK | ISL22449UFV14Z-TK INTERSIL SMD or Through Hole | ISL22449UFV14Z-TK.pdf | ||
DPT108 | DPT108 POWER ESIP | DPT108.pdf | ||
M2S12D30TP | M2S12D30TP ORIGINAL TSSOP-64 | M2S12D30TP.pdf |