창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MALSECV00BC210FARK | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Aluminum Capacitors Introduction E-Series Values Chart Alum Electrolytic Caps Selection Guide Taping Specifications SMD ECV (MALSECV) Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | ECV | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 15.92 Ohm @ 120Hz | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 24mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.220"(5.60mm) | |
표면 실장 면적 크기 | 0.209" L x 0.209" W(5.30mm x 5.30mm) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MALSECV00BC210FARK | |
관련 링크 | MALSECV00B, MALSECV00BC210FARK 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AMG-250 | FUSE AUTO 250A 32VDC AUTO LINK | AMG-250.pdf | |
![]() | SIT8008AI-22-33E-19.440000E | OSC XO 3.3V 19.44MHZ OE | SIT8008AI-22-33E-19.440000E.pdf | |
![]() | CPL-5217-30-NNN-79 | RF Directional Coupler 12.4GHz ~ 18GHz 30dB ± 1dB 50W N-Type In-Line Module | CPL-5217-30-NNN-79.pdf | |
![]() | G36640151031(4L1505)MDC STUD L3 | G36640151031(4L1505)MDC STUD L3 ORIGINAL SMD or Through Hole | G36640151031(4L1505)MDC STUD L3.pdf | |
![]() | RD45HMF1-101 | RD45HMF1-101 ORIGINAL Ceramic | RD45HMF1-101.pdf | |
![]() | ADS1000YST | ADS1000YST AD QFP | ADS1000YST.pdf | |
![]() | RN5RZ24AA-TR | RN5RZ24AA-TR RICOH SOT23-5 | RN5RZ24AA-TR.pdf | |
![]() | G4PC4OUD | G4PC4OUD IR TO-3P | G4PC4OUD.pdf | |
![]() | SPAKDSP311VL150 | SPAKDSP311VL150 Freescale SMD or Through Hole | SPAKDSP311VL150.pdf | |
![]() | HPC05222-D | HPC05222-D ORIGINAL SMD or Through Hole | HPC05222-D.pdf | |
![]() | ATMEGA644PV | ATMEGA644PV ATMEL QFN | ATMEGA644PV.pdf | |
![]() | MAX4237EUT+T | MAX4237EUT+T MAXIM SOT23-6 | MAX4237EUT+T.pdf |