창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MAL211890005E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 118 AHT (MAL2118) Series | |
| PCN 설계/사양 | Removal of SHVC Substances 17/Nov 2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | 118 AHT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 100µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 200V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 960m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 8000시간(125°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 리플 전류 | 610mA @ 100Hz | |
| 임피던스 | 390m옴 | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.827" Dia(21.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MAL211890005E3 | |
| 관련 링크 | MAL21189, MAL211890005E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | EGXE350ELL221MJ16S | 220µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 125°C | EGXE350ELL221MJ16S.pdf | |
![]() | B43890A9156M | 15µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 15000 Hrs @ 105°C | B43890A9156M.pdf | |
| F930G336MAA | 33µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 2.5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F930G336MAA.pdf | ||
| 511AAA-BBAG | 125MHz ~ 169.999MHz LVPECL XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 43mA Enable/Disable | 511AAA-BBAG.pdf | ||
| SS28V-K20115-CH | 11.5mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 220 mOhm | SS28V-K20115-CH.pdf | ||
![]() | KTR25JZPJ435 | RES SMD 4.3M OHM 5% 1/3W 1210 | KTR25JZPJ435.pdf | |
![]() | CMF50316R00FHEB | RES 316 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50316R00FHEB.pdf | |
![]() | RCP20G | RCP20G MIC/SEP/LD/HYG DIP | RCP20G.pdf | |
![]() | S-80744SN-D8-T1 | S-80744SN-D8-T1 JG D8 153 | S-80744SN-D8-T1.pdf | |
![]() | D42-32R-06 | D42-32R-06 LAMINA SMD or Through Hole | D42-32R-06.pdf | |
![]() | NRA156M04R8 | NRA156M04R8 NEC SMD or Through Hole | NRA156M04R8.pdf |