- M6-D 216D6TGCF22E
- 제조업체 부품 번호
- M6-D 216D6TGCF22E
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- M6-D 216D6TGCF22E ATI BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
M6-D 216D6TGCF22E 가격 및 조달
가능 수량
96280 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 M6-D 216D6TGCF22E 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. M6-D 216D6TGCF22E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. M6-D 216D6TGCF22E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- M6-D 216D6TGCF22E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
M6-D 216D6TGCF22E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-M6-D 216D6TGCF22E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M6-D 216D6TGCF22E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M6-D 216D6TGCF22E | |
| 관련 링크 | M6-D 216D6, M6-D 216D6TGCF22E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
M6-D 216D6TGCF22E 의 관련 제품
 | K333K10X7RF5UL2 | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K333K10X7RF5UL2.pdf | |
 | WKO222MCPEJ0KR | 2200pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | WKO222MCPEJ0KR.pdf | |
 | SIR416DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | SIR416DP-T1-GE3.pdf | |
 | ERJ-S1DF45R3U | RES SMD 45.3 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF45R3U.pdf | |
 | HMC519 | RF Amplifier IC VSAT 18GHz ~ 32GHz Die | HMC519.pdf | |
| LX4361P | LX4361P MOT DIP | LX4361P.pdf | |
| EHA2505 | EHA2505 elantec TO | EHA2505.pdf | |
| NUS3045MNT11G | NUS3045MNT11G ON SMD or Through Hole | NUS3045MNT11G.pdf | |
| RC1206F10K2Y | RC1206F10K2Y ORIGINAL SMD or Through Hole | RC1206F10K2Y.pdf | |
| B59881C135A70 | B59881C135A70 epcos SMD or Through Hole | B59881C135A70.pdf | |
| 4321B2.ES | 4321B2.ES SIEMENS TSOP20 | 4321B2.ES.pdf | |
| TL494ING4 | TL494ING4 TI DIP-16 | TL494ING4.pdf |