- M58BW016DB80T3.
M58BW016DB80T3. 가격 및 조달
가능 수량
34780 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 M58BW016DB80T3. 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. M58BW016DB80T3. 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. M58BW016DB80T3.가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- M58BW016DB80T3. 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
M58BW016DB80T3. 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-M58BW016DB80T3. | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M58BW016DB80T3. | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP80 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M58BW016DB80T3. | |
| 관련 링크 | M58BW016D, M58BW016DB80T3. 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
M58BW016DB80T3. 의 관련 제품
 | 0805ZG335ZAT2A | 3.3µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805ZG335ZAT2A.pdf | |
 | ATS060SM-1E | 6MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS060SM-1E.pdf | |
 | MCR10EZHJ1R8 | RES SMD 1.8 OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZHJ1R8.pdf | |
 | TRF5901PTG4 | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 902MHz ~ 928MHz 48-LQFP | TRF5901PTG4.pdf | |
 | IMH2 T110 | IMH2 T110 ROHM SOT-163 | IMH2 T110.pdf | |
| ADC14061CCVT | ADC14061CCVT NationalSemiconductor 52-LQFP | ADC14061CCVT.pdf | |
| M37204MB-660SP | M37204MB-660SP MITSUBSIL DIP-64 | M37204MB-660SP.pdf | |
| CIA31J471NE | CIA31J471NE SAMSUNG SMD | CIA31J471NE.pdf | |
| 2-1393215-5 | 2-1393215-5 teconnectivity SMD or Through Hole | 2-1393215-5.pdf | |
| 2SC3518-Z | 2SC3518-Z NEC TO-252 | 2SC3518-Z .pdf | |
| 93C06B1 | 93C06B1 ST DIP-8 | 93C06B1.pdf | |
| UT136FFL-6 TO-220F | UT136FFL-6 TO-220F UTC SMD or Through Hole | UT136FFL-6 TO-220F.pdf |