창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | |
관련 링크 | M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ , M470T5663QZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | VJ1825A910JBBAT4X | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A910JBBAT4X.pdf | |
![]() | HC8LP-R39-R | 390nH Unshielded Wirewound Inductor 20.2A 2.8 mOhm Max Nonstandard | HC8LP-R39-R.pdf | |
![]() | DRA3P48D22 | RELAY SSR 480 V | DRA3P48D22.pdf | |
![]() | 2903189 | RELAY SOLID STATE | 2903189.pdf | |
![]() | SM-4TW2M | SM-4TW2M COPAL SMD | SM-4TW2M.pdf | |
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![]() | 2R150TB-8 | 2R150TB-8 ruilon SMD or Through Hole | 2R150TB-8.pdf | |
![]() | MT28F800B5-8B | MT28F800B5-8B MICRON TSSOP | MT28F800B5-8B.pdf | |
![]() | KM49C512BLJ7TQ1 | KM49C512BLJ7TQ1 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM49C512BLJ7TQ1.pdf |