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- M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM

M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
제조업체 부품 번호
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
제조업 자
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제품 카테고리
다른 구성 요소 - 3
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M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole
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내부 부품 번호EIS-M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
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