창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-M378T6464QZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ Long- | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | M378T6464QZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ Long- | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | M378T6464QZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ Long- | |
관련 링크 | M378T6464QZ3-CE6 (DDR2/ , M378T6464QZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ Long- 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | 2SC4505T100Q | TRANS NPN 400V 0.1A SOT-89 | 2SC4505T100Q.pdf | |
![]() | AISC-1210HS-120K-T2 | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210HS-120K-T2.pdf | |
![]() | ERJ-XGNJ560Y | RES SMD 56 OHM 5% 1/32W 01005 | ERJ-XGNJ560Y.pdf | |
![]() | MCT06030D2051BP100 | RES SMD 2.05KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2051BP100.pdf | |
![]() | 1210AS-R18J-01 | 1210AS-R18J-01 Fastron SMD1210 | 1210AS-R18J-01.pdf | |
![]() | HD61810CPB26 | HD61810CPB26 HITACHI SMD or Through Hole | HD61810CPB26.pdf | |
![]() | DM8613N | DM8613N NS DIP16 | DM8613N.pdf | |
![]() | AIPHONE | AIPHONE AMIS TQFP100 | AIPHONE.pdf | |
![]() | PO770.222T | PO770.222T ORIGINAL SMD2 | PO770.222T.pdf | |
![]() | CS2019.6MBBEUT | CS2019.6MBBEUT CITIZEN SMD | CS2019.6MBBEUT.pdf | |
![]() | MG80C28160 | MG80C28160 INTEL DIP | MG80C28160.pdf |