창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LTR-5579DP1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 광 센서 - 광 트랜지스터 | |
| 제조업체 | Lite-On Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1mA | |
| 전류 - 암전류(Id)(최대) | 100nA | |
| 파장 | 900nm | |
| 시야각 | - | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 방향 | 측면도 | |
| 작동 온도 | - | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, 3 리드(Lead), 측면도 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LTR-5579DP1 | |
| 관련 링크 | LTR-55, LTR-5579DP1 데이터 시트, Lite-On Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | GP10M-4007EHE3/54 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL | GP10M-4007EHE3/54.pdf | |
![]() | SPI100N03S2-03 | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK | SPI100N03S2-03.pdf | |
![]() | MRS16000C3301FC100 | RES 3.3K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C3301FC100.pdf | |
![]() | CB2JBR220 | RES .22 OHM 2W 5% CERAMIC WW | CB2JBR220.pdf | |
![]() | LDB25C201A0900B-438 | LDB25C201A0900B-438 muRata SMD or Through Hole | LDB25C201A0900B-438.pdf | |
![]() | TR3C107K010C100 | TR3C107K010C100 VISHAY SMD or Through Hole | TR3C107K010C100.pdf | |
![]() | 27-07695-1-0 | 27-07695-1-0 VTECH SSOP | 27-07695-1-0.pdf | |
![]() | TCSVS1E105KAAR | TCSVS1E105KAAR SAMSUNG SMD | TCSVS1E105KAAR.pdf | |
![]() | THMR1N4E-6 | THMR1N4E-6 Toshiba Tray | THMR1N4E-6.pdf | |
![]() | MMZ2012-SERIES | MMZ2012-SERIES TDK SMD or Through Hole | MMZ2012-SERIES.pdf | |
![]() | CCM104K50 | CCM104K50 ORIGINAL SMD | CCM104K50.pdf | |
![]() | 87013-650 | 87013-650 BRG SMD or Through Hole | 87013-650.pdf |