창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LTL2R3JGDNN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LTL2R3JGDNN | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 2010 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LTL2R3JGDNN | |
| 관련 링크 | LTL2R3, LTL2R3JGDNN 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F406X2AAT | 40.61MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406X2AAT.pdf | |
![]() | SIT9003AC-24-33DD-25.00000Y | OSC XO 3.3V 25MHZ SD 0.50% | SIT9003AC-24-33DD-25.00000Y.pdf | |
![]() | PDTC115EMB,315 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN | PDTC115EMB,315.pdf | |
![]() | AIAP-01-2R7K-T | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 2.5A 33 mOhm Max Axial | AIAP-01-2R7K-T.pdf | |
![]() | RD3.6ES-T1AB2 | RD3.6ES-T1AB2 NEC DO34 | RD3.6ES-T1AB2.pdf | |
![]() | S6B0086X01-QO | S6B0086X01-QO SAMSUNG QFP | S6B0086X01-QO.pdf | |
![]() | SCDS125T-220M-N | SCDS125T-220M-N Chilisin SMD | SCDS125T-220M-N.pdf | |
![]() | GR1M450V | GR1M450V TREC SMD or Through Hole | GR1M450V.pdf | |
![]() | AD7943BN-B | AD7943BN-B AD DIP | AD7943BN-B.pdf | |
![]() | ABTH3614-15 | ABTH3614-15 DSP QFP | ABTH3614-15.pdf | |
![]() | BB659. | BB659. NXP SMD or Through Hole | BB659..pdf | |
![]() | PM5324-FI | PM5324-FI PMC BGA | PM5324-FI.pdf |