- LTE-5108D
LTE-5108D 가격 및 조달
가능 수량
53680 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 LTE-5108D 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LTE-5108D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LTE-5108D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- LTE-5108D 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
LTE-5108D 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LTE-5108D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LTE-5108D | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LTE-5108D | |
| 관련 링크 | LTE-5, LTE-5108D 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
LTE-5108D 의 관련 제품
 | K561K10C0GH5TH5 | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K561K10C0GH5TH5.pdf | |
 | MPLAD6.5KP30AE3 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC PLAD | MPLAD6.5KP30AE3.pdf | |
 | 416F36023IDR | 36MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36023IDR.pdf | |
 | MLG0603P18NJT000 | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.4 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P18NJT000.pdf | |
 | HMBZ250B | HMBZ250B ORIGINAL SMD or Through Hole | HMBZ250B.pdf | |
| NAN0SMDC020F2 | NAN0SMDC020F2 RAYCHEM SMD or Through Hole | NAN0SMDC020F2.pdf | |
| MCP120-300I/SN | MCP120-300I/SN Microchip SMD or Through Hole | MCP120-300I/SN.pdf | |
| S3C44BOX0 | S3C44BOX0 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C44BOX0.pdf | |
| AM29F200T-120SC | AM29F200T-120SC AMD SOP | AM29F200T-120SC.pdf | |
| NL12810BM29-05A | NL12810BM29-05A NEC SMD or Through Hole | NL12810BM29-05A.pdf | |
| UPD703033BYGC-J51-8EU-A | UPD703033BYGC-J51-8EU-A NS TSSOP | UPD703033BYGC-J51-8EU-A.pdf | |
| CDRH2D18/HPNP-R82N | CDRH2D18/HPNP-R82N SUMIDA SMD | CDRH2D18/HPNP-R82N.pdf |