창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LTE-209C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LTE-209C | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | ROHS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LTE-209C | |
| 관련 링크 | LTE-, LTE-209C 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECJ-2FB2D103K | 10000pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2FB2D103K.pdf | |
![]() | 402F54012IJR | 54MHz ±10ppm 수정 9pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54012IJR.pdf | |
![]() | Y175810R0000A9L | RES 10 OHM 2.5W 0.05% AXIAL | Y175810R0000A9L.pdf | |
![]() | AH180-FJG-7 | IC HALL SWITCH 3-DFN | AH180-FJG-7.pdf | |
![]() | CL31C100JBCNBN | CL31C100JBCNBN SAMSUNG() SMD or Through Hole | CL31C100JBCNBN.pdf | |
![]() | ES3890FF263 | ES3890FF263 ESS QFP | ES3890FF263.pdf | |
![]() | CVXAEECG471AF | CVXAEECG471AF SANYO SMD | CVXAEECG471AF.pdf | |
![]() | B1003U、Y、Z | B1003U、Y、Z ORIGINAL SMD or Through Hole | B1003U、Y、Z.pdf | |
![]() | MIC4468CWM | MIC4468CWM MOICR SOP | MIC4468CWM.pdf | |
![]() | TLV5618ADR | TLV5618ADR TI DIP | TLV5618ADR.pdf | |
![]() | ISC2003I | ISC2003I ISL SSOP16 | ISC2003I.pdf | |
![]() | SN74LV125PW | SN74LV125PW N/A SMD or Through Hole | SN74LV125PW.pdf |