창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LSC417766DM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LSC417766DM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LSC417766DM | |
| 관련 링크 | LSC417, LSC417766DM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2X5R1H473K080AA | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X5R1H473K080AA.pdf | |
![]() | 416F32022ATR | 32MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022ATR.pdf | |
![]() | SIT8008BC-82-33E-27.648000Y | OSC XO 3.3V 27.648MHZ OE | SIT8008BC-82-33E-27.648000Y.pdf | |
![]() | VLS3010ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 810mA 204 mOhm Max Nonstandard | VLS3010ET-4R7M.pdf | |
![]() | FODM453 | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 5-Mini-Flat | FODM453.pdf | |
![]() | TNPW120630K0BETA | RES SMD 30K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120630K0BETA.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CE6 | M470T2864QZ3-CE6 SAMSUNG SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CE6.pdf | |
![]() | MAX326CPE | MAX326CPE MAXIM DIP16 | MAX326CPE.pdf | |
![]() | MCP6274 | MCP6274 MICROCHI SOP-8 | MCP6274.pdf | |
![]() | LS682M1J-3040 | LS682M1J-3040 X DIP | LS682M1J-3040.pdf | |
![]() | EMP8915-XXVF05GRR | EMP8915-XXVF05GRR EMP SOT-23-5 | EMP8915-XXVF05GRR.pdf |