창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LS1808N221K302NXT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LS1808N221K302NXT | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LS1808N221K302NXT | |
| 관련 링크 | LS1808N221, LS1808N221K302NXT 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | NS10155T4R7NNA | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 6.01A 13.2 mOhm Max Nonstandard | NS10155T4R7NNA.pdf | |
![]() | YC124-JR-072R4L | RES ARRAY 4 RES 2.4 OHM 0804 | YC124-JR-072R4L.pdf | |
![]() | LTC2299UP | LTC2299UP LT QFN | LTC2299UP.pdf | |
![]() | CM111MOBB | CM111MOBB N/A MSOP16 | CM111MOBB.pdf | |
![]() | CL10000BAESJP 8PNOSC | CL10000BAESJP 8PNOSC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10000BAESJP 8PNOSC.pdf | |
![]() | SE035M0010B2F-0511 | SE035M0010B2F-0511 YA DIP | SE035M0010B2F-0511.pdf | |
![]() | MAX17007G | MAX17007G MAXIM QFN | MAX17007G.pdf | |
![]() | LM2596T-12+/LF03 | LM2596T-12+/LF03 NSC SMD or Through Hole | LM2596T-12+/LF03.pdf | |
![]() | HCT1380 | HCT1380 ORIGINAL SMD or Through Hole | HCT1380.pdf | |
![]() | D73B | D73B ORIGINAL BGA12 | D73B.pdf | |
![]() | DAC080100Q | DAC080100Q ADI Call | DAC080100Q.pdf | |
![]() | 28C64A20P | 28C64A20P MICROCHIP DIP28 | 28C64A20P.pdf |