창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LQP02TQ3N9B02D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Inductors Catalog | |
제품 교육 모듈 | Chip RF Inductors | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | LQP02TQ_02 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 후막 | |
소재 - 코어 | - | |
유도 용량 | 3.9nH | |
허용 오차 | ±0.1nH | |
정격 전류 | 270mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 1옴최대 | |
Q @ 주파수 | 10 @ 500MHz | |
주파수 - 자기 공진 | 9GHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 500MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 01005(0402 미터법) | |
크기/치수 | 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.009"(0.22mm) | |
표준 포장 | 20,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LQP02TQ3N9B02D | |
관련 링크 | LQP02TQ3, LQP02TQ3N9B02D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
ZWQ805223/L | AC/DC CNVRTR 5V +/-12V 3.3V 80W | ZWQ805223/L.pdf | ||
RNCF0805BTE909R | RES SMD 909 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTE909R.pdf | ||
TNPW1206210KBETA | RES SMD 210K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206210KBETA.pdf | ||
B647C | B647C ORIGINAL TO-92 | B647C.pdf | ||
H9TKNNN2GDAPLR-NDM | H9TKNNN2GDAPLR-NDM HynixSemiconducto SMD or Through Hole | H9TKNNN2GDAPLR-NDM.pdf | ||
ICSSSTV16859BG | ICSSSTV16859BG ICS TSSOP-56 | ICSSSTV16859BG.pdf | ||
CL10B221KBNC | CL10B221KBNC SAMSUNG SMD | CL10B221KBNC.pdf | ||
3V3TB | 3V3TB TCKELCJTCON DO-35 | 3V3TB.pdf | ||
MBB02075017R81% | MBB02075017R81% BEY SMD or Through Hole | MBB02075017R81%.pdf | ||
8080-1G1 | 8080-1G1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8080-1G1.pdf | ||
216PFDALA11FG X600 SE | 216PFDALA11FG X600 SE ATI BGA | 216PFDALA11FG X600 SE.pdf | ||
591SXP56S503ZP | 591SXP56S503ZP Honeywell SMD or Through Hole | 591SXP56S503ZP.pdf |