- LQG21N1R2K10T
- 제조업체 부품 번호
- LQG21N1R2K10T
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- LQG21N1R2K10T NA SMD
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
LQG21N1R2K10T 가격 및 조달
가능 수량
117060 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 LQG21N1R2K10T 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LQG21N1R2K10T 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LQG21N1R2K10T가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- LQG21N1R2K10T 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
LQG21N1R2K10T 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LQG21N1R2K10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LQG21N1R2K10T | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LQG21N1R2K10T | |
| 관련 링크 | LQG21N1, LQG21N1R2K10T 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
LQG21N1R2K10T 의 관련 제품
| 500VXG220MEFCSN35X40 | 220µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | 500VXG220MEFCSN35X40.pdf | |
 | K683M15X7RF5UL2 | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K683M15X7RF5UL2.pdf | |
 | MBRF10H150CTG | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220F | MBRF10H150CTG.pdf | |
 | MLG0603P3N3BT000 | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 450mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P3N3BT000.pdf | |
 | V23105A5475A201 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) 5VDC Coil Through Hole | V23105A5475A201.pdf | |
| HT7551A-1 | HT7551A-1 HT TO92 | HT7551A-1.pdf | |
| A80386-20 S40362 | A80386-20 S40362 INTEL SMD or Through Hole | A80386-20 S40362.pdf | |
| SN74LVC574ARGYR | SN74LVC574ARGYR TI SMD or Through Hole | SN74LVC574ARGYR.pdf | |
| 7.993006m | 7.993006m kss SMD or Through Hole | 7.993006m.pdf | |
| 423/16 | 423/16 ORIGINAL SMD or Through Hole | 423/16.pdf | |
| XCV300E6FG456C | XCV300E6FG456C XILINX BGA | XCV300E6FG456C.pdf | |
| HES-O3-2HCP | HES-O3-2HCP NEIMICON PNP | HES-O3-2HCP.pdf |