창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LP2966IMM-3333-LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LP2966IMM-3333-LF | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LP2966IMM-3333-LF | |
| 관련 링크 | LP2966IMM-, LP2966IMM-3333-LF 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CDEP12D38NP-5R6MC-88 | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 21 mOhm Max Nonstandard | CDEP12D38NP-5R6MC-88.pdf | |
![]() | MRS25000C2700FCT00 | RES 270 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2700FCT00.pdf | |
![]() | DP11SV3015B30K | DP11S VER 15P 30DET 30K M7*7MM | DP11SV3015B30K.pdf | |
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![]() | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM Samsung SMD or Through Hole | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM.pdf | |
![]() | T495X686M020AT4191 | T495X686M020AT4191 KEMET SMD or Through Hole | T495X686M020AT4191.pdf | |
![]() | BYW77P150E/BYW77P150 | BYW77P150E/BYW77P150 ST TO-247-2P | BYW77P150E/BYW77P150.pdf | |
![]() | LB123L-B TO220 | LB123L-B TO220 ORIGINAL TO220 | LB123L-B TO220.pdf |