창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LNY2G822MSEG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LNY Series Snap-In Terminal, Terminal-Shape Screw Terminal Type, Dimension of Bracket/Bushing | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | LNY | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 8200µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 400V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 21.2A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 1.126"(28.60mm) | |
| 크기/치수 | 2.500" Dia(63.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 8.268"(210.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 493-9256 LNY2G822MSEG-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LNY2G822MSEG | |
| 관련 링크 | LNY2G82, LNY2G822MSEG 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | NE68139-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-143 | NE68139-A.pdf | |
![]() | MHQ1005P1N1BT000 | 1.1nH Unshielded Multilayer Inductor 1.2A 30 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MHQ1005P1N1BT000.pdf | |
![]() | CRCW0402953RFKEDHP | RES SMD 953 OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW0402953RFKEDHP.pdf | |
![]() | H868RFCA | RES 68.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | H868RFCA.pdf | |
![]() | BPW34 | Photodiode 850nm 20ns 130° 2-DIP (0.213", 5.40mm) | BPW34.pdf | |
![]() | 6292BCRZ | 6292BCRZ INTERSIL QFN-16 | 6292BCRZ.pdf | |
![]() | 3DD13003F3D | 3DD13003F3D ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DD13003F3D.pdf | |
![]() | 12V 500MA | 12V 500MA GEO SMD or Through Hole | 12V 500MA.pdf | |
![]() | SM5125AM | SM5125AM NPC SSOP24 | SM5125AM.pdf | |
![]() | TPS2321IDR | TPS2321IDR TI SOP16 | TPS2321IDR.pdf | |
![]() | 0402X104K6R3CT | 0402X104K6R3CT WALSIN SMD or Through Hole | 0402X104K6R3CT.pdf |