- LNX2V102MSEFBN
- 제조업체 부품 번호
- LNX2V102MSEFBN
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- LNX2V102MSEFBN NICHICON DIP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
LNX2V102MSEFBN 가격 및 조달
가능 수량
51130 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 LNX2V102MSEFBN 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LNX2V102MSEFBN 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LNX2V102MSEFBN가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- LNX2V102MSEFBN 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
LNX2V102MSEFBN 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LNX2V102MSEFBN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LNX2V102MSEFBN | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LNX2V102MSEFBN | |
| 관련 링크 | LNX2V102, LNX2V102MSEFBN 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
LNX2V102MSEFBN 의 관련 제품
 | MA-306 24.0000M-C0:ROHS | 24MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-306 24.0000M-C0:ROHS.pdf | |
 | PTN1206E9093BST1 | RES SMD 909K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E9093BST1.pdf | |
| 20V8-25CP | 20V8-25CP GAL DIP | 20V8-25CP.pdf | |
| AD9877XSZ | AD9877XSZ AD QFP-100 | AD9877XSZ.pdf | |
| 2SC2182 | 2SC2182 GC SOP DIP | 2SC2182.pdf | |
| DS1631Z-TNR | DS1631Z-TNR DALLAS SMD or Through Hole | DS1631Z-TNR.pdf | |
| AD7777JR | AD7777JR AD SSOP | AD7777JR.pdf | |
| B9302(B3994 | B9302(B3994 EPCOS SMD or Through Hole | B9302(B3994.pdf | |
| T7L39AF-0101 | T7L39AF-0101 TOSHIBA TQFP-128 | T7L39AF-0101.pdf | |
| CR32-1R60-FL | CR32-1R60-FL ASJ Call | CR32-1R60-FL.pdf | |
| PDTC123YU | PDTC123YU NXPSEMICONDUCTORS ORIGINAL | PDTC123YU.pdf |