- LNT2V682MSEHBN
- 제조업체 부품 번호
- LNT2V682MSEHBN
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- LNT2V682MSEHBN NICHICON DIP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
LNT2V682MSEHBN 가격 및 조달
가능 수량
104730 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 LNT2V682MSEHBN 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LNT2V682MSEHBN 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LNT2V682MSEHBN가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- LNT2V682MSEHBN 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
LNT2V682MSEHBN 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LNT2V682MSEHBN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LNT2V682MSEHBN | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LNT2V682MSEHBN | |
| 관련 링크 | LNT2V682, LNT2V682MSEHBN 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
LNT2V682MSEHBN 의 관련 제품
| UP050CH330J-KFCZ | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0H 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050CH330J-KFCZ.pdf | |
 | ISC1812RQR33M | 330nH Shielded Wirewound Inductor 418mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQR33M.pdf | |
.jpg) | RT1210FRD07105KL | RES SMD 105K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07105KL.pdf | |
| 08-0107-03 | 08-0107-03 CISCOSYSTEMS BGA3535 | 08-0107-03.pdf | |
| BIR-BM18V1G-SI-S | BIR-BM18V1G-SI-S BRIGHT ROHS | BIR-BM18V1G-SI-S.pdf | |
| SHPE8202LD-LV11V | SHPE8202LD-LV11V ORIGINAL SMD or Through Hole | SHPE8202LD-LV11V.pdf | |
| SSTE | SSTE EIC SMB | SSTE.pdf | |
| SDV1608S180C020NPTF | SDV1608S180C020NPTF Sunlord SMD | SDV1608S180C020NPTF.pdf | |
| TLP358H(TP5 | TLP358H(TP5 Toshiba SMD or Through Hole | TLP358H(TP5.pdf | |
| N760080BFKC004 | N760080BFKC004 MOT QFP-64 | N760080BFKC004.pdf | |
| D2W110CG (DC18-28V) | D2W110CG (DC18-28V) NI 4Pin | D2W110CG (DC18-28V).pdf |