창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LNT2H102MSEFBB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LNT2H102MSEFBB | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LNT2H102MSEFBB | |
| 관련 링크 | LNT2H102, LNT2H102MSEFBB 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | F339X123348KD02W0 | 3300pF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | F339X123348KD02W0.pdf | |
![]() | TCM0G336M8R | 33µF Molded Tantalum Capacitors 4V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.033" W (1.60mm x 0.85mm) | TCM0G336M8R.pdf | |
![]() | 445I23A12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23A12M00000.pdf | |
![]() | DMNH10H028SPSQ-13 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | DMNH10H028SPSQ-13.pdf | |
![]() | LQH31CN4R7M03L | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 340mA 845 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | LQH31CN4R7M03L.pdf | |
![]() | HSCDRRN010KDSA3 | Pressure Sensor ±1.45 PSI (±10 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN010KDSA3.pdf | |
![]() | WW20XR033FTL | WW20XR033FTL ORIGINAL SMD | WW20XR033FTL.pdf | |
![]() | T1929N | T1929N ORIGINAL SMD or Through Hole | T1929N.pdf | |
![]() | KS0715TB-01-L0TF | KS0715TB-01-L0TF SAMSUNG TCP | KS0715TB-01-L0TF.pdf | |
![]() | CS4328-KSZ | CS4328-KSZ CS SOP | CS4328-KSZ.pdf | |
![]() | DMC971-12 | DMC971-12 MIT TO92S | DMC971-12.pdf | |
![]() | TC514402J-10 | TC514402J-10 TOSHIBA BULKPLCC | TC514402J-10.pdf |