창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LNT2C152MSE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LNT Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | LNT | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1500µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 160V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 2.1A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.500"(12.70mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 3.268"(83.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 493-8991 LNT2C152MSE-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LNT2C152MSE | |
| 관련 링크 | LNT2C1, LNT2C152MSE 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | 425F11A019M6608 | 19.6608MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11A019M6608.pdf | |
![]() | MLG1005S2N4BT000 | 2.4nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S2N4BT000.pdf | |
![]() | P1812R-274K | 270µH Unshielded Inductor 100mA 12.72 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | P1812R-274K.pdf | |
![]() | MP2104DJ-1.8 | MP2104DJ-1.8 MPS SOT23-5 | MP2104DJ-1.8.pdf | |
![]() | IX0013BXZZ | IX0013BXZZ SH QFP | IX0013BXZZ.pdf | |
![]() | IRFP4410ZPBF | IRFP4410ZPBF IR TO-3P | IRFP4410ZPBF.pdf | |
![]() | 17304 | 17304 LINEAR SMD or Through Hole | 17304.pdf | |
![]() | NDR476M20R12 | NDR476M20R12 NECT SMD or Through Hole | NDR476M20R12.pdf | |
![]() | TDF8599TD/N2B2 | TDF8599TD/N2B2 PHI HSSOP | TDF8599TD/N2B2.pdf | |
![]() | T1EE | T1EE TI SOT23-6 | T1EE.pdf | |
![]() | SiP21106DT-30-E3 TEL:82766440 | SiP21106DT-30-E3 TEL:82766440 VISHAY TSOT23-5L | SiP21106DT-30-E3 TEL:82766440.pdf |