창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LNT1H334MSE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LNT Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | LNT | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 330000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 50V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 24.3A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 1.252"(31.80mm) | |
| 크기/치수 | 3.543" Dia(90.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 8.780"(223.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 493-8955 LNT1H334MSE-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LNT1H334MSE | |
| 관련 링크 | LNT1H3, LNT1H334MSE 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40012ITR | 40MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40012ITR.pdf | |
![]() | AT0805BRD075K9L | RES SMD 5.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD075K9L.pdf | |
![]() | TNPW20103K24BEEY | RES SMD 3.24K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20103K24BEEY.pdf | |
![]() | SFR25H0006202JR500 | RES 62K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0006202JR500.pdf | |
![]() | 748412245 | RF Balun 2.4GHz ~ 2.5GHz 50 / 50 Ohm 0603 (1608 Metric) | 748412245.pdf | |
![]() | 2SD880-CH | 2SD880-CH F/H SMD or Through Hole | 2SD880-CH.pdf | |
![]() | CM8501AGISTR | CM8501AGISTR CHAMPION SOP-8 | CM8501AGISTR.pdf | |
![]() | HD74LS002RPEL | HD74LS002RPEL HIT SOP3.9MM | HD74LS002RPEL.pdf | |
![]() | S1C88848F00 | S1C88848F00 SAMSUNG SMD or Through Hole | S1C88848F00.pdf | |
![]() | UGF1B | UGF1B TAITRON SMA DO-214AC | UGF1B.pdf | |
![]() | BD902G | BD902G ON TO-220 | BD902G.pdf | |
![]() | MXO45-2C 1.8432 | MXO45-2C 1.8432 ORIGINAL SMD | MXO45-2C 1.8432.pdf |