창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LNT1E224MSE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LNT Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | LNT | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 220000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 25V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 17A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 1.252"(31.80mm) | |
| 크기/치수 | 3.000" Dia(76.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 4.843"(123.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 493-8929 LNT1E224MSE-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LNT1E224MSE | |
| 관련 링크 | LNT1E2, LNT1E224MSE 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | TISP4200J3BJR-S | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | TISP4200J3BJR-S.pdf | |
![]() | JS28F256P33T95 | JS28F256P33T95 INTEL TSOP | JS28F256P33T95.pdf | |
![]() | 0805CG200J500NT(20 | 0805CG200J500NT(20 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805CG200J500NT(20.pdf | |
![]() | J270-TR1 | J270-TR1 SI SMD or Through Hole | J270-TR1.pdf | |
![]() | PSMD100E/12 | PSMD100E/12 POWERSEM MODULE | PSMD100E/12.pdf | |
![]() | DR51202 | DR51202 AIWA QFP-100P | DR51202.pdf | |
![]() | TPSV158K004R0050 | TPSV158K004R0050 AVX SMD or Through Hole | TPSV158K004R0050.pdf | |
![]() | AN626 | AN626 PANASANI ZIP | AN626.pdf | |
![]() | SCL-1-DPNO-220V | SCL-1-DPNO-220V SongChuan DIP | SCL-1-DPNO-220V.pdf | |
![]() | EVAL-AD5064-1EBZ | EVAL-AD5064-1EBZ AD SMD or Through Hole | EVAL-AD5064-1EBZ.pdf | |
![]() | UF2006-T | UF2006-T DIODES DO15 | UF2006-T.pdf | |
![]() | TG-2002-1MP | TG-2002-1MP NTK DIP | TG-2002-1MP.pdf |