창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LNK363DG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LNK362-64 | |
참조 설계 라이브러리 | DER-062: 5V @ 600mA, 85~265VAC in DER-141: 5V @ 150mA, 85 ~ 265VAC in DER-135: 5V @ 550mA, 90 ~ 264VAC in DER-227: 5V @ 550mA, 85 ~ 265VAC in | |
PCN 설계/사양 | Design Chgs 29/Jul/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Improve Pass. 26/Jan/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1195 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 집적 회로(IC) | |
제품군 | PMIC - AC DC 컨버터, 오프라인 스위치 | |
제조업체 | Power Integrations | |
계열 | LinkSwitch®-XT | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
출력 분리 | 절연 | |
내부 스위치 | 있음 | |
전압 - 항복 | 700V | |
토폴로지 | 플라이 백 | |
전압 - 시동 | - | |
전압 - 공급(Vcc/Vdd) | - | |
듀티 사이클 | 60% | |
주파수 - 스위칭 | 132kHz | |
전력(와트) | 7.5W | |
고장 보호 | 전류 제한, 개방형 루프, 과온, 단락 | |
제어 특징 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 7 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SO-8C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 596-1243-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LNK363DG | |
관련 링크 | LNK3, LNK363DG 데이터 시트, Power Integrations 에이전트 유통 |
CGA6P3X8R1E475M250AD | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6P3X8R1E475M250AD.pdf | ||
VJ1812A360JBAAT4X | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A360JBAAT4X.pdf | ||
PZU24BA,115 | DIODE ZENER 24V 320MW SOD323 | PZU24BA,115.pdf | ||
ZMY91-GS18 | DIODE ZENER 91V 1W DO213AB | ZMY91-GS18.pdf | ||
UPG6-27937-2 | UPG6-27937-2 AIRPAX SMD or Through Hole | UPG6-27937-2.pdf | ||
3308L-S08-R | 3308L-S08-R UTC SOP-8 | 3308L-S08-R.pdf | ||
T10/23 | T10/23 ITT SOT-23 | T10/23.pdf | ||
S1119BV1-3-2 | S1119BV1-3-2 SAMSUNG SMD or Through Hole | S1119BV1-3-2.pdf | ||
1206J1000102KXT | 1206J1000102KXT SYFER SMD or Through Hole | 1206J1000102KXT.pdf | ||
UT30756 | UT30756 xx XX | UT30756.pdf | ||
HZS5.1NB2TA-E | HZS5.1NB2TA-E RENESAS MOSFET | HZS5.1NB2TA-E.pdf |