창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LND150N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LND150 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015 Assembly Site Qualification 08/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1000옴 @ 500µA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LND150N3-G | |
관련 링크 | LND150, LND150N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
ERJ-2GEJ300X | RES SMD 30 OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ300X.pdf | ||
MTCBA-C1-N3 | MTCBA-C1-N3 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTCBA-C1-N3.pdf | ||
8D2-05 | 8D2-05 SEMITEC SMD or Through Hole | 8D2-05.pdf | ||
EBA18DRAS | EBA18DRAS SULLINS 36Position(2x18 | EBA18DRAS.pdf | ||
LMC662CM/AIM | LMC662CM/AIM NS SOP-8 | LMC662CM/AIM.pdf | ||
LT1585CM-3.38 | LT1585CM-3.38 LT SOT-263-3 | LT1585CM-3.38.pdf | ||
0077054A7 | 0077054A7 MAGNETICS SMD or Through Hole | 0077054A7.pdf | ||
CMZ5347B TR13 | CMZ5347B TR13 Central SMC | CMZ5347B TR13.pdf | ||
17-21SURC/S530-A2/TR8(WSN) | 17-21SURC/S530-A2/TR8(WSN) EVERLIGH N A | 17-21SURC/S530-A2/TR8(WSN).pdf | ||
MAX690AMJA/883 | MAX690AMJA/883 MAXIM SMD or Through Hole | MAX690AMJA/883.pdf | ||
S7129F | S7129F AUK SOT-89 | S7129F.pdf | ||
SAEEB897MBA00R1S | SAEEB897MBA00R1S muP USP | SAEEB897MBA00R1S.pdf |