Microchip Technology LND150N3-G

LND150N3-G
제조업체 부품 번호
LND150N3-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
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내부 부품 번호EIS-LND150N3-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서LND150
PCN 조립/원산지Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015
Assembly Site Qualification 08/Jun/2016
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1000옴 @ 500µA, 0V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10pF @ 25V
전력 - 최대740mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA)
공급 장치 패키지TO-92-3
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)LND150N3-G
관련 링크LND150, LND150N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통
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