Microchip Technology LND150N3-G-P013

LND150N3-G-P013
제조업체 부품 번호
LND150N3-G-P013
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
LND150N3-G-P013 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 469.49750
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 LND150N3-G-P013 재고가 있습니다. 우리는 Microchip Technology 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microchip Technology 전자 부품 전문. LND150N3-G-P013 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LND150N3-G-P013가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
LND150N3-G-P013 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
LND150N3-G-P013 매개 변수
내부 부품 번호EIS-LND150N3-G-P013
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서LND150
PCN 조립/원산지Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015
Assembly Site Qualification 08/Jun/2016
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1000옴 @ 500µA, 0V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10pF @ 25V
전력 - 최대740mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA)
공급 장치 패키지TO-92-3
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)LND150N3-G-P013
관련 링크LND150N3-, LND150N3-G-P013 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통
LND150N3-G-P013 의 관련 제품
TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC SMC SMCJ1.5KE18CA-TP.pdf
RES 0.39 OHM 20W 5% TO220 TAH20PR390JE.pdf
RF Switch IC General Purpose SP6T 3GHz 50 Ohm 24-QSOP HMC252QS24TR.pdf
F7493PC FSC DIP-14 F7493PC.pdf
XEP22 MOT SOP-8 XEP22.pdf
TK73400AU3-G ORIGINAL TO-252-5L TK73400AU3-G.pdf
43045-2000 MOLEX ORIGINAL 43045-2000.pdf
TMP68303F-12 TOSHIBA QFP TMP68303F-12.pdf
HQ1008-R27G-S Chilisin SMD1008 HQ1008-R27G-S.pdf
PTF180101 INFINEON SMD or Through Hole PTF180101.pdf
ST730675-3 KET SMD or Through Hole ST730675-3.pdf