Microchip Technology LND150N3-G-P002
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- 제조업체 부품 번호
- LND150N3-G-P002
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
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LND150N3-G-P002 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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LND150N3-G-P002 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LND150N3-G-P002 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LND150 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015 Assembly Site Qualification 08/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1000옴 @ 500µA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 740mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LND150N3-G-P002 | |
| 관련 링크 | LND150N3-, LND150N3-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
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