창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LN60A01ES-LF-Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LN60A01 Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS/Lead Free Policy | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Monolithic Power Systems Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 3개 N 채널, 공통 게이트 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190옴 @ 10mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 125°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LN60A01ES-LF-Z | |
| 관련 링크 | LN60A01E, LN60A01ES-LF-Z 데이터 시트, Monolithic Power Systems Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 9C12270001 | 12.288MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C12270001.pdf | |
![]() | ASPI-1306T-1R0M-T | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 8.6A 9 mOhm Max Nonstandard | ASPI-1306T-1R0M-T.pdf | |
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![]() | RG1005P-4642-D-T10 | RES SMD 46.4KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-4642-D-T10.pdf | |
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![]() | AEH-LMD108-IC | AEH-LMD108-IC ORIGINAL SMD or Through Hole | AEH-LMD108-IC.pdf | |
![]() | LD39015M10R | LD39015M10R ST SOT23-5 | LD39015M10R.pdf | |
![]() | SD596D | SD596D ALPS QFP44 | SD596D.pdf | |
![]() | SN74CB3T3306DC | SN74CB3T3306DC TI US8 | SN74CB3T3306DC.pdf | |
![]() | PEMX1,115**CH-ART | PEMX1,115**CH-ART NXP SMD or Through Hole | PEMX1,115**CH-ART.pdf | |
![]() | P1481NL | P1481NL PULSE SMD or Through Hole | P1481NL.pdf |