창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-LMX2330TM-ES | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | LMX2330TM-ES | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TSSOP-20 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | LMX2330TM-ES | |
관련 링크 | LMX2330, LMX2330TM-ES 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MLG1005S91NJTD25 | 91nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.8 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S91NJTD25.pdf | |
![]() | 160R-274HS | 270µH Unshielded Inductor 65mA 32 Ohm Max 2-SMD | 160R-274HS.pdf | |
![]() | AD6737JR | AD6737JR AD SMD | AD6737JR.pdf | |
![]() | T555W | T555W AT&T DIP | T555W.pdf | |
![]() | 1V.2V.3V | 1V.2V.3V EPSON SMD or Through Hole | 1V.2V.3V.pdf | |
![]() | K4T51163QC-ZC DDR2 | K4T51163QC-ZC DDR2 SAM BGA | K4T51163QC-ZC DDR2.pdf | |
![]() | 186 8B | 186 8B SONY DIP24 | 186 8B.pdf | |
![]() | AAT3526ICX AAT3526 | AAT3526ICX AAT3526 ORIGINAL SOT143 | AAT3526ICX AAT3526.pdf | |
![]() | SRA6.3VB-47/USA0J470M | SRA6.3VB-47/USA0J470M ORIGINAL SMD or Through Hole | SRA6.3VB-47/USA0J470M.pdf | |
![]() | NCV8606MN15T2G | NCV8606MN15T2G ON SMD or Through Hole | NCV8606MN15T2G.pdf | |
![]() | P311T6/NAN | P311T6/NAN ST QFP-64 | P311T6/NAN.pdf |