창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-LM3S1C26-IQR80-A2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | LM3S1C26-IQR80-A2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | LQFP64 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | LM3S1C26-IQR80-A2 | |
관련 링크 | LM3S1C26-I, LM3S1C26-IQR80-A2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
SIT8008BI-12-33E-54.000000D | OSC XO 3.3V 54MHZ OE | SIT8008BI-12-33E-54.000000D.pdf | ||
SC1813FH-1R2 | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 4.5A 17 mOhm Max Nonstandard | SC1813FH-1R2.pdf | ||
HIS-N-A4 | HIS-N-A4 NVIDIA BGA | HIS-N-A4.pdf | ||
AT17C256EJC | AT17C256EJC ATMEL PLCC | AT17C256EJC.pdf | ||
0805-5.6M | 0805-5.6M ASJ SMD or Through Hole | 0805-5.6M.pdf | ||
H6473 | H6473 H SMD or Through Hole | H6473.pdf | ||
SYF-0J335M-RA2 | SYF-0J335M-RA2 ELNA SMD | SYF-0J335M-RA2.pdf | ||
GRM42-631B335K10 | GRM42-631B335K10 MURATA S1206 | GRM42-631B335K10.pdf | ||
HE2E157M25020 | HE2E157M25020 SAMW DIP2 | HE2E157M25020.pdf | ||
WE-BPF 2.45GHZ | WE-BPF 2.45GHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | WE-BPF 2.45GHZ.pdf | ||
82540EMMM#845194 | 82540EMMM#845194 INTEL SMD or Through Hole | 82540EMMM#845194.pdf |