창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LH68120 1M WRAM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LH68120 1M WRAM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LH68120 1M WRAM | |
| 관련 링크 | LH68120 1, LH68120 1M WRAM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| RR50G122MDN1PH | 1200µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RR50G122MDN1PH.pdf | ||
![]() | B43305C2128M | 1200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 110 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305C2128M.pdf | |
![]() | 533751110 | 533751110 MOLEX Original Package | 533751110.pdf | |
![]() | B1077AS-3R0N | B1077AS-3R0N TOKO SMD | B1077AS-3R0N.pdf | |
![]() | FAR-D6NH-1G9600 | FAR-D6NH-1G9600 FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D6NH-1G9600.pdf | |
![]() | ATF508AS | ATF508AS AT QFP | ATF508AS.pdf | |
![]() | MBM200JS12EW | MBM200JS12EW HITACHI SMD or Through Hole | MBM200JS12EW.pdf | |
![]() | 3904 100-300 | 3904 100-300 HT SOT-23 | 3904 100-300.pdf | |
![]() | HZU10B2TRF-E 10V | HZU10B2TRF-E 10V RENESAS/HITACHI SOD-323 0805 | HZU10B2TRF-E 10V.pdf | |
![]() | 65E7/ | 65E7/ ORIGINAL SOT-23 | 65E7/.pdf | |
![]() | 2402 162NA | 2402 162NA MATSUO 1206 | 2402 162NA.pdf | |
![]() | 29PL251M-15PCM | 29PL251M-15PCM F TSOP | 29PL251M-15PCM.pdf |